近日，韩媒披露三星半导体在工艺研发上取得关键突破，正全力挺进2纳米技术节点，有望超越主要竞争对手。目前，三星晶圆代工厂正着力研发SF2 GAAFET先进工艺，并与高通深化合作，计划将该全栅极(GAA)工艺应用于下一代ARM Cortex-X CPU开发中，预示着未来骁龙8 Gen 5芯片组可能采用三星2纳米SF2 GAAFET工艺。

同时，三星LSI部门也不甘落后，据悉正在打造基于2纳米工艺的“Exynos 2600”系统芯片设计。然而，据消息人士透露，即将推出的Exynos 2500芯片组虽将取代Exynos 2400，但受限于2纳米工艺预计2026年才投入量产，故不太可能采用此先进技术。

此外，高通已向三星和台积电提出2纳米样品需求，但该技术更可能部署在未来骁龙8 Gen 5而非即将登场的骁龙8 Gen 4。值得关注的是，在这场2纳米工艺的竞赛中，三星已率先赢得日本初创公司Preferred Networks(PFN)这一客户订单。通过提升自家Exynos芯片性能，三星旨在降低对高通骁龙高端芯片的依赖度，原因在于高通芯片定价不断攀升，而三星力求借助2纳米工艺降低成本风险。