【新闻简报】近日，三星电子发布旗下首款12层堆叠的HBM3E DRAM——HBM3E 12H。这款新品一举打破三星自家HBM产品容量纪录，以高达36GB的存储空间和1280GB\/s的全天候最高带宽惊艳亮相，与上一代8层堆叠的HBM3 8H相比，其带宽和容量提升均超过50%，为用户带来显著的性能飞跃。

面对人工智能服务市场对更高容量HBM的迫切需求，三星电子存储器产品企划团队执行副总裁Yongcheol Bae强调，新推出的HBM3E 12H正是顺应这一趋势而设计，旨在展现三星在多层堆叠HBM核心技术上的领先实力，并巩固其在高容量HBM市场中的地位。

研发过程中，三星创新采用热压非导电薄膜（TC NCF）技术，使12层堆叠产品保持与8层堆叠产品相同的高度，满足封装标准的同时，有效提升了垂直密度超20%。通过优化芯片间凸块尺寸及间距，该技术还改善了HBM的热性能和产品良率。

据三星官方数据，搭载HBM3E 12H的人工智能应用预计训练速度将提高34%，推理服务能力也将激增超过11.5倍。目前，三星已开始向客户提供样品，并计划于今年下半年启动大规模量产，有望借力这款高性能HBM产品，在人工智能和高性能计算领域持续扩大市场份额。